Оперативная память: Patriot
Фильтры
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
частота 2133 МГц, CL 15T
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
2 ГБ, 1 модуль DDR2 DIMM, частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В