Оперативная память
Фильтры
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-38, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Цвет: черный, Охлаждение: Да, Профили XMP: Да, Объем: 16, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16, Набор: 1 модуль, Тип: DDR5 DIMM, Частота: 5200 МГц, PC-индекс: PC5-41600, CAS Latency: 40
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-38, напряжение 1.35 В
![Оперативная память HP 1GB DDR2 PC2-5300 [EM160AA]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_rd1069803_1_395.jpg)
1 модуль, частота 667 МГц, напряжение 1.55 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3733 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21-41, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В