Оперативная память: для ноутбуков
Фильтры
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
![Оперативная память Kingston ValueRam 8GB DDR4 PC4-17000 SO-DIMM [KVR21S15S8/8]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_875074_big_1_395.jpg)
частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, тайминги 52-52-52, напряжение 1.1 В
Количество ранков: 2, Объем: 32, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 SO-DIMM, Частота: 2666 МГц, PC-индекс: PC4-21300
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 38T, тайминги 38-40-40, напряжение 1.35 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В