Оперативная память: для ноутбуков
Фильтры
частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
![Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [PSD44G240081S]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1144304_big_1_395.jpg)
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Количество ранков: 2, Объем: 8, Тип: DDR4 SO-DIMM, Частота: 2666 МГц, PC-индекс: PC4-21300, CAS Latency: 19
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В