Оперативная память: для ноутбуков
Фильтры
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.2 В
![Оперативная память AMD 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R744G2400S1S-UO]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1057857_big_1_395.jpg)
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [PSD44G240081S]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1144304_big_1_395.jpg)
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В (при разгоне 1.9 В)
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В
![Оперативная память Foxline 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [FL1600D3S11-8G]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_932291_big_1_395.jpg)
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В