Оперативная память: DDR4
Фильтры
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
Цвет: черный, Количество ранков: 2, Расположение чипов: двустороннее, Тип микросхем: 16, Объем: 16, Набор: 1 модуль
1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
Охлаждение: Да, Цвет: черный, Профили XMP: Да, Подсветка элементов платы: Да, Объем: 8, Набор: 1 модуль
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Количество ранков: 1, Объем: 16, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 DIMM, Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-38, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В