Оперативная память: DDR4
Фильтры
Объем: 4, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 SO-DIMM, Частота: 3200 МГц, PC-индекс: PC4-25600, CAS Latency: 22
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Количество ранков: 2, Объем: 4, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 SO-DIMM, Частота: 2666 МГц, PC-индекс: PC4-21300
Количество ранков: 1, Расположение чипов: одностороннее, Число микросхем: 8, Объем: 4, Набор: 1 модуль, Тип: DDR4 DIMM
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
![Оперативная память AMD Radeon R7 Performance 4GB DDR4 PC4-17000 [R744G2133U1S-UO]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1057252_big_1_395.jpg)
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В