Оперативная память: DDR3
Фильтры
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В
частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
![Оперативная память Foxline 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [FL1600D3S11-8G]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_932291_big_1_395.jpg)
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
![Оперативная память Patriot Signature 4GB DDR3 PC3-12800 [PSD34G160081H]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_1007349_big_1_395.jpg)
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 2 модуля DDR3 DIMM по 4 ГБ, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 2 модуля DDR3 DIMM по 8 ГБ, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
16 ГБ, 2 модуля DDR3 DIMM по 8 ГБ, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В
16 ГБ, 2 модуля DDR3 DIMM по 8 ГБ, частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В