Оперативная память: DDR3
Фильтры
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Объем: 4, Набор: 1 модуль, Тип: DDR3 SO-DIMM, Частота: 1600 МГц, PC-индекс: PC3-12800, CAS Latency: 11
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
![Оперативная память Apacer 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [AS04GFA60CATBGJ]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_925909_big_1_395.jpg)
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
2 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-27, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 10-11-11, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
![Оперативная память Hynix 2GB DDR3 PC3-12800 [MPPU2GBPC1600]](https://www.777555.by/content/thumb/items/img_rd1701183_001_395.jpg)
частота 1600 МГц, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В