Оперативная память
Фильтры
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В
частота 800 МГц, CL 5T, напряжение 1.85 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В
Объем: 8 Гб, Тип: DDR4 SO-DIMM, Частота: 2666 МГц, Напряжение питания: 1.2
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2400 МГц, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В