Оперативная память
Фильтры
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
одноканальный (1 модуль), частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В